Samsung hat bekannt gegeben, dass man mit der Massenproduktion von 14-Nanometer EUV DDR5 DRAM begonnen habe. Dank besonders hoher Bit-Dichte soll der Produktionsprozess um 20 Prozent beschleunigt werden. Man habe die Zahl der EUV-Schichten (Extreme Ultraviolet Technology) auf fünf erhöht, um "den derzeit besten und fortschrittlichsten DRAM-Prozess für DDR5-Lösungen zu liefern", so das Unternehmen. Neben der Produktionssteigerung sollen die Chips letztlich auch fast 20 Prozent weniger Energie für den Betrieb benötigen. Die Geschwindigkeit des DDR5-RAM soll bei 7,2 Gigabits pro Sekunde liegen, DDR4 RAM leistet mit 3,2 Gbps weniger als halb so viel.
Jooyoung Lee, Senior Vice President und Head of DRAM Product & Technology bei
Samsung Electronics kommentiert: "Heute setzt Samsung einen weiteren technologischen Meilenstein mit dem Mehrschicht-EUV-Verfahren, das eine extreme Miniaturisierung bei 14nm ermöglicht – eine Leistung, die mit dem herkömmlichen Argonfluorid (ArF)-Prozess nicht möglich ist. Aufbauend auf diesem Fortschritt werden wir weiterhin die differenziertesten Speicherlösungen anbieten, indem wir den Bedarf an höherer Leistung und Kapazität in der datengesteuerten Welt von 5G, KI und dem Metaversum vollständig abdecken."
(win)
